| 型号：FDS6609A | 类别：FET - 单 | 制造商：Fairchild Semiconductor |
| 封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 描述：MOSFET P-CH 30V 6.3A 8SOIC | |
详细参数
| 类别 | FET - 单 |
|---|---|
| 描述 | MOSFET P-CH 30V 6.3A 8SOIC |
| 系列 | PowerTrench® |
| 制造商 | Fairchild Semiconductor |
| FET型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET特点 | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 30V |
| 电流_连续漏极（Id）0a025000C | 6.3A |
| 开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 32 毫欧 @ 7A，10V |
| Id时的Vgs（th）111最大222 | 3V @ 250µA |
| 闸电荷（Qg）0a0Vgs | 29nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）0a0Vds | 930pF @ 15V |
| 功率_最大 | 1W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装 | 8-SOIC N |
| 包装 | 带卷 (TR) |
供应商
| HECC GROUP CO，LIMITED | Sante Zhang/Mollie086-755-83241160（高端器件渠道商）/83950019/83950895/83950890 |
| 深圳市海虹微电子有限公司 | 赵小姐086-0755-83291010 83678410 |
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| 深圳市晶美隆科技有限公司 | 李林0755- 82519391 0755-83209630 |
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